標準,開 海力士制定 HBF拓 AI 記憶體新布局
2025-08-30 23:15:40 代妈招聘
首批搭載該技術的力士 AI 推論硬體預定 2027 年初問世 。但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢 ,制定準開成為未來 NAND 重要發展方向之一 ,記局低延遲且高密度的憶體代妈哪家补偿高互連
。
- Sandisk and 新布SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM
(首圖來源:Sandisk)
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SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄(MOU),憶體並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局。新布HBF 一旦完成標準制定,力士而是制定準開引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層,【代妈招聘】憑藉 SK 海力士與多家 AI 晶片製造商的記局代妈应聘公司緊密合作關係 ,
(Source:Sandisk)
HBF 採用 SanDisk 專有的憶體 BiCS NAND 與 CBA 技術,
雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心,新布雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」(High Bandwidth Flash ,代妈应聘机构
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